Вряд ли у кого из оверклокеров на сегодняшний день есть сомнения в выборе типа оперативной памяти для новой платформы. То, что DDR SDRAM осталось недолго присутствовать на рынке, можно оспорить с большим трудом. Сравнимая, либо минимально отличающаяся от DDR в большую сторону стоимость DDR2 модулей, массовое распространение ставших любимыми народом платформ AMD с Socket AM2, огромный ассортимент DDR2 SDRAM для любых требований и кошельков, и, наконец, постепенная популяризация среди оверклокеров платформ с Intel Core 2 Duo являются основными, но далеко не единственными причинами снижения востребованности DDR памяти.

В сегодняшнем материале мы предлагаем вашему вниманию обзор и тестирование девяти пар модулей оперативной памяти объемом 2 х 1Gb от одного из законодателя мод на рынке SDRAM – компании OCZ Technology .

реклама

На вопрос, почему выбран объем модулей именно в 1 Gb, думаю, ответ очевиден. Постоянно растущие требования программного обеспечения и игр к аппаратным ресурсам компьютера в настоящее время привели к минимально рекомендуемому объему установленной памяти в системе равному 2 Gb. Я не утверждаю, что на 1 Gb вы не сможете играть в современные игры. Сможете. Даже на 512 Mb, скорее всего, сможете их запустить, вот только о комфорте в игре при этом можно забыть. Кроме того, по предварительным оценкам , чтобы комфортно играть в сверхпопулярной ещё до своего выхода Windows Vista, необходимо уже даже не два, а, скорее всего, целых четыре гигабайта памяти.

В дополнение, на мой взгляд, при приобретении нового системного блока и ограниченности в средствах перспективнее взять не 2 модуля по 512 Mb, а один объемом в 1 Gb. Спустя некоторое время, докупив второй такой же модуль, вы не только выиграете в цене, но и в стабильности и разгоне, так как всем оверклокерам известно, что платформа с четырьмя установленными модулями обладает более низким оверклокерским потенциалом, чем с парой.

Пожалуй, лирических отступлений и оговорок достаточно.. Предлагаю вернуться к теме сегодняшней статьи и нетрадиционно начать с описания тестовой конфигурации и методики тестирования.

1. Тестовая конфигурация, инструментарий и методика тестирования

Вся оперативная память тестировалась только в двухканальном режиме на следующей конфигурации системного блока:

• Материнская плата: ASUSTek P5B Deluxe/WiFi-AP (Intel P965), LGA 775, BIOS 0804;
  • на чипсете установлен кулер Cooler Master Blue Ice Pro (~4500 RPM, 22 ~ 26 dBA);
• Процессор: Intel Core 2 Duo E6400 2133 MHz, 1.325 V, L2 2 x 1024 Kb, FSB: 266 MHz x 4, SL9S9 Malay (Conroe, B2);
• Система охлаждения CPU: Noctua NH-U12F с парой 120-мм вентиляторов NF-R12 на ~800 RPM (2 х 8 dBA);
• Термоинтерфейс: Noctua;
• Видеокарта: Chaintech GeForce 7950 GX2 2 x 512 Mb (default = 500/1200 MHz), @580/1580 MHz;
• Дисковая подсистема: SATA-II 320 Gb, Hitachi (HDT725032VLA360), 7200 RPM, 16 Mb, NCQ;
• Корпус: ATX ASUS ASCOT 6AR2-B Black&Silver:
  • на вдув 120-мм корпусный вентилятор Noctua NF-S12 120-мм (~800 RPM, ~8 dBA);
  • на выдув на задней стенке и на боковой стенке 120-мм корпусные вентиляторы Sharkoon Luminous Blue LED (~1000 RPM, ~21 dBA);
• Блок питания: MGE Magnum 500 (500 W) + 80-мм вентилятор GlacialTech SilentBlade (~1700 RPM, 19 dBA).

Максим Бабенков

Компания OCZ Technology Co, Ltd, специализирующаяся на выпуске памяти любых типов, еще в сентябре прошлого года представила серию ATI Certified, в которую входят модули памяти PC2-5400 и PC2-6400 с различным объемом. Память может поставляться как модулями по 1 Гбайт, так и комплектами по два модуля для использования в двухканальном режиме. Такой вариант поставки выглядит наиболее актуальным с учетом требований современных игровых приложений.

На российском рынке модули этой серии появились сравнительно недавно, поэтому мы были рады возможности их протестировать. В настоящей статье мы рассмотрим один из комплектов модулей памяти стандарта PC2-6400 (DDR2-800), относящийся к этой серии, - OCZ2A8002GK.

Модули памяти серии ATI Certified позиционируются производителем для экстремальных геймеров и протестированы в соответствии с сертификационной программой ATI. Производителем не только заявлен высокий уровень производительности и надежности модулей, но и гарантирована их отличная совместимость с технологией CrossFire. Особенностью всех модулей OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel является использование давно уже хорошо зарекомендовавшей себя системы охлаждения, в качестве которой применяется радиатор XTC (Xtreme Thermal Convection) с логотипом ATI Certified. Он выполнен из алюминия и выкрашен в красный цвет. Пластины радиатора установлены с обеих сторон модуля. Монтаж чипов памяти выполнен на обеих сторонах печатной платы. Радиатор XTC позволяет эффективно отводить тепло от горячих модулей, повышая тем самым их долговечность и стабильность их работы.

Комплект модулей оперативной памяти OCZ2A8002GK состоит из пары планок объемом по 1024 Мбайт каждая. Каждый модуль основан на 16 микросхемах по 64 Мбайт. В качестве микросхем памяти применяются FBGA-чипы с маркировкой OCZ X42P1208401-3. Модули работают в двухканальном режиме на частоте 800 МГц при таймингах 4-4-4-15 (CAS-TRCD-TRP-TRAS). Номинальное напряжение питания составляет 2,1 В. Благодаря технологии компании OCZ под названием EVP (Extended Voltage Protection) напряжение может быть незначительно повышено - до 2,2 В ±5%. Заметим, что повышение напряжения не лишает пользователя фирменной пожизненной гарантии на модули.

В ходе тестирования данные модули памяти работали не только на заявленных штатных параметрах, но и при более агрессивных настройках частоты и таймингах. Наивысшая частота памяти OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel, при которой нам удалось запустить систему, составила 930 МГц при таймингах 4-4-4-14.

Стенд для тестирования модулей памяти имел следующую конфигурацию:

Процессор - Intel Core 2 Extreme Edition QX6700 (тактовая частота - 2,66 ГГц, кэш L2 - 4 Мбайт);

Материнская плата - MSI P6N SLI Platinum;

Чипсет - NVIDIA nForce 650i SLI (C55 SPP + nForce 430 MCP);

Частота - 133-750 МГц (с шагом 1 МГц);

Видеокарта - ATI Radeon X1900XTX.

Тестирование проводилось под управлением операционной системы Windows Professional SP2 со всеми установленными на данный момент обновлениями. В качестве тестов применялись различные синтетические тестовые утилиты, входящие в пакеты SiSoftware Sandra, Everest Ultimate Edition и Right Mark Memory Analyzer. Помимо синтетических тестов на память использовалось приложение 3Dmark 2006, позволяющее оценить стабильность системы и увидеть, как повлияют различные режимы работы памяти на результаты в реальных приложениях.

Заметим, что результаты тестирования модулей памяти стоит рассматривать вкупе с конкретными чипсетом и моделью материнской платы, поскольку на других платформах модули памяти могут проявить себя совершенно по-другому.

Результаты тестирования модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel при частоте 800 и 930 МГц приведены в таблице.

Результаты тестирования модулей памяти
OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel

Режимы работы памяти			800 МГц, 4-4-4-15	930 МГц, 4-4-4-14
RightMark Memory Analyzer 3.72	RAM Performance, Stream, Мбайт/с
	Average Memory Bandwidth, SSE2, Мбайт/с
	Maximal RAM Bandwidth, Software Prefetch, SSE2, Мбайт/с
	Average RAM Latency, нс	Forward Read Latency
		Backward Read Latency
		Random Read Latency
		Pseudo-Random Read Latency
	Minimal RAM Latency, 32 Mbyte Block, L1 Cache line, нс	Forward Read Latency
		Backward Read Latency
		Random Read Latency
		Pseudo-Random Read Latency
SiSoftware Sandra Lite 2007.5.11.35	Memory Bandwidth Int ALU, Мбайт/с
	Memory Bandwidth Float FPU, Мбайт/с
	Memory Latency (Linear), нс
	Memory Latency (Random), нс
	Combined Index, Мбайт/с
Everest Ultimate Edition 2006 3.50.761	Read, Мбайт/с
	Write, Мбайт/с
	Copy, Мбайт/с

Из результатов тестирования модулей OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel очевидно, что при увеличении частоты работы памяти и сохранении соответствующих таймингов наблюдается увеличение пропускной способности памяти и снижение латентности. Кроме того, прирост отмечается не только в синтетических тестах, но и в других приложениях. Если ранее мы подчеркивали, что существенно большее влияние на производительность памяти оказывает уменьшение таймингов памяти, нежели увеличение тактовой частоты, то в данном случае ситуация несколько иная. Нам просто не удалось при частоте работы 800 МГц разогнать память по таймингам. Правда, по частоте память прекрасно разгонялась, позволяя при этом не ухудшать параметры таймингов. Именно вследствие этого наблюдалось повышение пропускной способности памяти и снижение латентности при полном сохранении стабильности работы системы.

Редакция выражает благодарность российскому представительству компании OCZ Technology (http://www.ocztechnology.com) за предоставленный для тестирования комплект модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400 ATI CrossFire Dual Channel.

Часть 26: Высокоскоростные модули OCZ серий Titanium и SLI-Ready (PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000)

Мы продолжаем изучение важнейших характеристик высокоскоростных модулей DDR2 с помощью универсального тестового пакета . Сегодня мы рассмотрим высокоскоростные предложения от компании OCZ - три двухканальных 2-ГБ комплекта модулей памяти серий Titanium и SLI-Ready скоростных категорий PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000:

• OCZ DDR2 PC2-6400 Titanium EPP-Ready (OCZ2T8002GK, DDR2-800 4-4-4-1T)
• OCZ DDR2 PC2-7200 SLI-Ready Edition (OCZ2N900SR2GK, DDR2-900 4-4-3-2T)
• OCZ DDR2 PC2-8000 Titanium Alpha VX2 (OCZ2TA1000VX22GK, DDR2-1000 4-4-4-2T)

Информация о производителе модуля

Производитель модуля: OCZ Technology
Производитель микросхем модуля: неизвестен
Сайт производителя модуля: Внешний вид модулей

OCZ DDR2 PC2-6400

OCZ DDR2 PC2-7200

OCZ DDR2 PC2-8000

Part Number модулей

Руководство по расшифровке Part Number модулей памяти DDR2 на сайте производителя отсутствует (в ходе его изучения было обнаружено лишь устаревшее руководство, посвященное модулям памяти типа DDR). Поэтому ограничимся лишь кратким описанием модулей, представленным на страницах соответствующих продуктов.

OCZ DDR2 PC2-6400

Модули поддерживают стандарт EPP, что позволяет достичь оптимальной производительности модулей на материнских платах с чипсетами NVIDIA nForce 590 SLI. Содержимое EPP запрограммировано на режим DDR2-800 с достаточно низкими таймингами 4-4-4-1T, т.е. модули способны функционировать при задержках командного интерфейса 1T (1 команда/1 такт), что значительно увеличивает производительность подсистемы памяти. Модули оснащены теплоотводами XTC (Xtreme Thermal Convection) с титановым покрытием, обеспечивающими эффективный отвод тепла.

OCZ DDR2 PC2-7200

Модули также поддерживают стандарт EPP, при этом содержимое данной части микросхемы SPD запрограммировано на режим DDR2-900 со схемой таймингов 4-4-3. Как утверждает производитель, данные модули оснащены эксклюзивной системой теплоотведения NVIDIA XTC (с точки зрения, как эффективности, так и внешнего вида, «соответствующего» уровню производительности модулей).

OCZ DDR2 PC2-8000

В отличие от первых двух представителей, поддержка стандарта EPP в модулях отсутствует. Модули принадлежат особому семейству модулей Voltage Xtreme, рассчитанных на работу при высоком питающем напряжении (что позволяет достичь скоростей, недоступных при обычном уровне напряжения). Данная модель рассчитана на режим DDR2-1000 при задержках 4-4-4, что достигается за счет поднятия питающего напряжения до 2.3В и позиционируется как high-end решение для экстремальных геймеров и оверклокеров. Теплоотвод модулей XTC с применением титанового покрытия, устойчивого к царапинам, также является эксклюзивным решением, на сей раз - по своей цветовой гамме (см. фото). Каждый модуль Titanium Alpha имеет уникальную цветовую гамму и изменяет свой оттенок цвета в зависимости от освещения и угла обзора.Данные микросхемы SPD модулей

Описание общего стандарта SPD:

Описание специфического стандарта SPD для DDR2:

Описание стандарта EPP:

OCZ DDR2 PC2-6400

Параметр	Байт	Значение	Расшифровка
Фундаментальный тип памяти	2	08h	DDR2 SDRAM
	3	0Eh	14 (RA0-RA13)
	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
	5	61h	2 физических банка
	6	40h	64 бит
Уровень питающего напряжения	8	05h	SSTL 1.8V
	9	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля	11	00h	Non-ECC
	12	82h
	13	08h	x8
	14	00h	Не определено
	16	0Ch	BL = 4, 8
	17	04h	4
	18	38h	CL = 5, 4, 3
	23	30h	3.00 нс (333.3 МГц)
	25	37h	3.70 нс (270.3 МГц)
	27	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
	28	28h	10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3
	29	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
	30	25h	37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3
	31	80h	512 МБ
	36	3Ch	15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3
	37	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
	38	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
	41, 40	37h, 00h	55.0 нс 22.00, CL = 5 18.33, CL = 4 14.86, CL = 3
	42, 40	69h, 00h	105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3
	43	80h	8.0 нс
Номер ревизии SPD	62	23h	Ревизия 2.3(?)
Контрольная сумма байт 0-62	63	BFh	191 (верно)
	64-71	7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h	OCZ
Part Number модуля	73-90	-	OCZ2T8001G
Дата изготовления модуля	93-94	06h, 26h	2006 год, 38 неделя
Серийный номер модуля	95-98	00h, 00h, 00h, 00h	Не определено

По данным SPD, поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая не полностью представляется целыми значениями и может быть записана в виде 5-5-5-14.8, что с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону соответствует стандартной схеме 5-5-5-15. Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33, которую с учетом округления можно записать в виде 4-5-5-13. Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц) вместо номинального значения 3.75 нс (частота 266.7 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10, с учетом округления - 3-4-4-10.

Идентификационный код производителя, дата изготовления и Part Number модуля указаны верно, в то время как информация о серийном номере модуля отсутствует. К тому же, несколько настораживает странное значение ревизии SPD 23h, формально соответствующее несуществующему номеру ревизии стандарта «2.3».

Поскольку данные модули поддерживают расширение EPP, рассмотрим теперь информацию, содержащуюся в этой «нестандартной» части SPD, представленной байтами 99-127 содержимого SPD.

Параметр	Байт(ы) (биты)	Значение	Расшифровка
Строка идентификации EPP	99-101	4E566Dh	Есть поддержка SPD EPP
Тип профилей EPP	102	A1h	Сокращенные профили
	103 (1:0)	00h	Профиль 0
Используемые профили	103 (7:4)	01h	Профиль 0: присутствует Профиль 1: отсутствует Профиль 2: отсутствует Профиль 3: отсутствует
Профиль №0
Уровень питающего напряжения	104 (6:0)	08h	2.0 V
Задержка передачи адреса (Addr CMD rate)	104 (7)	00h	1T
Время цикла (t CK)	105	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Задержка CAS# (t CL)	106	10h	4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD)	107	28h	10.0 нс (4.0)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP)	108	28h	10.0 нс (4.0)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS)	109	25h	37.0 нс (14.8)

Информация EPP представлена в виде сокращенных профилей, максимально возможное количество которых - 4, тогда как реально присутствуют данные лишь о первом из этих профилей (профиль №0), который, естественно, отмечен как «оптимальный». Информация, содержащаяся в этом сокращенном профиле, весьма немногочисленна и полностью представлена в приведенной выше таблице. Это данные о питающем напряжении модулей - 2.0 V, величине задержек командного интерфейса (1T), времени цикла (2.5 нс, частота шины памяти 400 МГц, режим DDR2-800) и стандартных таймингах (4-4-4-14.8, с учетом округления 4-4-4-15). Дополнительные параметры тонкой настройки временных и электрических характеристик функционирования подсистемы памяти в содержимом «сокращенного» профиля EPP отсутствуют, что, на наш взгляд, ставит под сомнение его основные преимущества. Вероятно, производитель модулей просто не уделил должного внимания тонкой настройке этих характеристик. К чему это привело, мы увидим дальше, в ходе нашего исследования модулей, а пока перейдем к рассмотрению SPD следующего представителя.

OCZ DDR2 PC2-7200

Параметр	Байт	Значение	Расшифровка
Фундаментальный тип памяти	2	08h	DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля	3	0Eh	14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти	5	61h	2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти	6	40h	64 бит
Уровень питающего напряжения	8	05h	SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X)	9	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля	11	00h	Non-ECC
Тип и способ регенерации данных	12	82h	7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти	13	08h	x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля	14	00h	Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)	16	0Ch	BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле	17	04h	4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)	18	38h	CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)	23	3Dh	3.75 нс (266.7 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)	25	00h	Не определено
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP)	27	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не определено, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD)	28	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD)	29	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 3.33, CL = 4 Не определено, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS)	30	25h	37.0 нс 14.80, CL = 5 9.87, CL = 4 Не определено, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти	31	80h	512 МБ
Период восстановления после записи (t WR)	36	3Ch	15.0 нс 6.00, CL = 5 4.00, CL = 4 Не определено, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR)	37	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP)	38	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.00, CL = 4 Не определено, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t RC)	41, 40	37h, 00h	55.0 нс 22.00, CL = 5 14.86, CL = 4 Не определено, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t RFC)	42, 40	69h, 00h	105.0 нс 42.00, CL = 5 28.38, CL = 4 Не определено, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max)	43	80h	8.0 нс
Номер ревизии SPD	62	12h	Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62	63	2Ah	42 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC	64-71	7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h	OCZ
Part Number модуля	73-90	-	OCZ2N900SR1G
Дата изготовления модуля	93-94	00h, 00h	Не определено
Серийный номер модуля	95-98	00h, 00h, 00h, 00h	Не определено

Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# - 5, 4 и 3, однако значения периодов синхросигнала указаны лишь для первых двух значений: основного (CL X = 5) и уменьшенного (CL X-1 = 4). Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая может быть записана в виде нецелых значений 5-5-5-14.8, с учетом наиболее вероятного округления в большую сторону - 5-5-5-15. Второму значению (CL X-1 = 4) соответствует несколько устаревший режим DDR2-533 (время цикла 3.75 нс, частота 266.7 МГц) с нецелой схемой таймингов 4-3.33-3.33-9.87, которую с учетом округления можно записать в виде 4-4-4-10. Как мы уже отмечали выше, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) не соответствует какой-либо осмысленный режим функционирования модулей, что определенно является ошибкой.

Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно, однако информация о дате изготовления и серийном номере модулей отсутствует. Данные модули также поддерживают расширения EPP, поэтому рассмотрим ниже информацию, содержащуюся в этой части SPD.

Параметр	Байт(ы) (биты)	Значение	Расшифровка
Строка идентификации EPP	99-101	4E566Dh	Есть поддержка SPD EPP
Тип профилей EPP	102	B1h	Расширенные профили
Профиль оптимальной производительности	103 (1:0)	01h	Профиль 1
Используемые профили	103 (7:4)	03h	Профиль 0: присутствует Профиль 1: присутствует
Профиль №0
Уровень питающего напряжения	104 (6:0)	14h	2.3 V
Задержка передачи адреса (Addr CMD rate)	104 (7)	01h	2T
Время цикла (t CK)	109	22h	2.20 нс (454.5 МГц)
Задержка CAS# (t CL)	110	10h	4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD)	111	23h	8.75 нс (3.98)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP)	112	19h	6.25 нс (2.84)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS)	113	21h	33.0 нс (15.00)
Период восстановления после записи (t WR)	114	28h	10.0 нс (4.55)
Минимальное время цикла строки (t RC)	115	32h	50.0 нс (22.73)
Профиль №1
Уровень питающего напряжения	116 (6:0)	14h	2.3 V
Задержка передачи адреса (Addr CMD rate)	117 (7)	01h	2T
Время цикла (t CK)	121	22h	2.20 нс (454.5 МГц)
Задержка CAS# (t CL)	122	10h	4
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD)	123	21h	8.25 нс (3.75)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP)	124	19h	6.25 нс (2.84)
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS)	125	1Fh	31.00 нс (14.09)
Период восстановления после записи (t WR)	126	30h	12.00 нс (5.45)
Минимальное время цикла строки (t RC)	127	2Ch	44.00 нс (20.00)

Содержимое EPP выглядит весьма интересным. В отличие от рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400 с «сокращенными» профилями EPP, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-7200 содержат в своей части EPP информацию о двух «расширенных» профилях (№0 и №1), оба из которых являются действительными, но соответствуют... примерно одному и тому же режиму функционирования(!), не считая незначительных различий. А именно, в обоих профилях рабочим режимом модулей является режим «DDR2-900» (частота - примерно 454.5 МГц, время цикла 2.2 нс) с питающим напряжением 2.3 V (что соответствует спецификациям производителя) и величиной задержек командного интерфейса 2T. Несколько различаются лишь схемы основных таймингов памяти, которые в первом случае можно представить в виде 4-3.98-2.84-15 (4-4-3-15 при округлении в большую сторону), а во втором - как 4-3.75-2.84-14.09. При округлении этих значений также получается схема 4-4-3-15 (совпадающая с заявленной производителем), однако профили EPP также несколько различаются по значениям «прочих» таймингов вроде t WR и t RC . Как бы там ни было, «оптимальным» профилем выбран профиль №1.

Содержимое SPD рассматриваемых модулей OCZ DDR2 PC2-7200 (включая расширения EPP) явно отличается от содержимого SPD (и EPP) рассмотренных выше модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Так или иначе, в обоих случаях наблюдаются неточности, а то и явные ошибки. Таким образом, подход компании OCZ к программированию данных SPD оказывается весьма своеобразным, если не сказать - весьма небрежным. Напоследок, рассмотрим содержимое SPD последнего представителя - модулей OCZ DDR2 PC2-8000, которое представлено лишь «стандартной» частью ввиду отсутствия поддержки расширений EPP.

OCZ DDR2 PC2-8000

Параметр	Байт	Значение	Расшифровка
Фундаментальный тип памяти	2	08h	DDR2 SDRAM
Общее количество адресных линий строки модуля	3	0Eh	14 (RA0-RA13)
Общее количество адресных линий столбца модуля	4	0Ah	10 (CA0-CA9)
Общее количество физических банков модуля памяти	5	61h	2 физических банка
Внешняя шина данных модуля памяти	6	40h	64 бит
Уровень питающего напряжения	8	05h	SSTL 1.8V
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при максимальной задержке CAS# (CL X)	9	25h	2.50 нс (400.0 МГц)
Тип конфигурации модуля	11	00h	Non-ECC
Тип и способ регенерации данных	12	82h	7.8125 мс - 0.5x сокращенная саморегенерация
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти	13	08h	x8
Ширина внешнего интерфейса шины данных (тип организации) используемых микросхем памяти ECC-модуля	14	00h	Не определено
Длительность передаваемых пакетов (BL)	16	0Ch	BL = 4, 8
Количество логических банков каждой микросхемы в модуле	17	04h	4
Поддерживаемые длительности задержки CAS# (CL)	18	38h	CL = 5, 4, 3
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-1)	23	30h	3.00 нс (333.3 МГц)
Минимальная длительность периода синхросигнала (t CK) при уменьшенной задержке CAS# (CL X-2)	25	37h	3.70 нс (270.3 МГц)
Минимальное время подзарядки данных в строке (t RP)	27	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
Минимальная задержка между активизацией соседних строк (t RRD)	28	28h	10.0 нс 4.00, CL = 5 3.33, CL = 4 2.70, CL = 3
Минимальная задержка между RAS# и CAS# (t RCD)	29	32h	12.5 нс 5.00, CL = 5 4.17, CL = 4 3.37, CL = 3
Минимальная длительность импульса сигнала RAS# (t RAS)	30	25h	37.0 нс 14.80, CL = 5 12.33, CL = 4 10.00, CL = 3
Емкость одного физического банка модуля памяти	31	80h	512 МБ
Период восстановления после записи (t WR)	36	3Ch	15.0 нс 6.00, CL = 5 5.00, CL = 4 4.05, CL = 3
Внутренняя задержка между командами WRITE и READ (t WTR)	37	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
Внутренняя задержка между командами READ и PRECHARGE (t RTP)	38	1Eh	7.5 нс 3.00, CL = 5 2.50, CL = 4 2.02, CL = 3
Минимальное время цикла строки (t RC)	41, 40	36h, 00h	54.0 нс 21.60, CL = 5 18.00, CL = 4 14.59, CL = 3
Период между командами саморегенерации (t RFC)	42, 40	69h, 00h	105.0 нс 42.00, CL = 5 35.00, CL = 4 28.38, CL = 3
Максимальная длительность периода синхросигнала (t CK max)	43	80h	8.0 нс
Номер ревизии SPD	62	12h	Ревизия 1.2
Контрольная сумма байт 0-62	63	DAh	218 (верно)
Идентификационный код производителя по JEDEC	64-71	7Fh, 7Fh, 7Fh, 7Fh, B0h	OCZ
Part Number модуля	73-90	-	OCZ2TA1000VX21G
Дата изготовления модуля	93-94	00h, 00h	Не определено
Серийный номер модуля	95-98	00h, 00h, 00h, 00h	Не определено

Содержимое SPD этих модулей примерно совпадает с таковым для первого из изучаемых образцов - модулей OCZ DDR2 PC2-6400. Поддерживаемые значения задержки сигнала CAS# составляют 5, 4 и 3. Первому значению (CL X = 5) соответствует период синхросигнала 2.5 нс (частота 400 МГц), т.е. режим DDR2-800. Схема таймингов для этого случая записывается в виде 5-5-5-14.8 (5-5-5-15). Уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-1 = 4) соответствует режим DDR2-667 (время цикла 3.0 нс, частота 333.3 МГц) со схемой таймингов 4-4.17-4.17-12.33 (4-5-5-13). Наконец, дважды уменьшенной величине задержки CAS# (CL X-2 = 3) соответствует несколько ошибочная, но распространенная запись режима DDR2-533 со временем цикла 3.7 нс (частота 270.3 МГц). Схема таймингов для этого случая - 3-3.37-3.37-10.0 (3-4-4-10).

Идентификационный код производителя и Part Number модуля указаны верно; данные о дате изготовления и серийном номере модуля отсутствует.Конфигурация тестового стенда

Стенд №1

• Процессор: AMD Athlon 64 X2 4800+ (Socket AM2), номинальная частота 2.4 ГГц (200 x12)
• Чипсет: NVIDIA nForce 590 SLI
• Материнская плата: ASUS CROSSHAIR, версия BIOS 0502 от 01/02/2007

Результаты исследования

Испытание модулей OCZ проводилось на платформе AMD (процессор Athlon 64 X2 4800+) с материнской платой ASUS CROSSHAIR (), поддерживающей стандарт EPP. Во всех случаях, испытания модулей проводились в двух режимах:

1. Номинальный: штатная частота процессора, частота памяти 400 МГц (DDR2-800), стандартная настройка подсистемы памяти по данным SPD, информация профилей EPP не используется.

2. Оптимальный, соответствующий использованию «оптимального» профиля EPP, допускающий разгон процессора (до 15%) для достижения максимальной рекомендованной частоты памяти. Для модулей OCZ DDR2 PC2-8000, не поддерживающих EPP, настройка частоты процессора и памяти в этом случае проводилась вручную.

OCZ DDR2 PC2-6400

Параметр
Частота процессора, МГц (частота FSB x FID)	2400 (200x12)	2400 (200x12)
Частота памяти, МГц (DDR2 МГц)	400 (800)	400 (800)
	5-5-5-15-2T, 1.8 V	4-4-4-15-1T, 2.0 - 2.3 V
	4-4-3-2T, 2.2 V	-
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро	3.94 (4.06)	-
Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро	3.27 (3.10)	-
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро	7.84 (7.99)	-
Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро	6.94 (6.93)	-
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра	6.65 (6.98)	-
Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра	3.96 (4.05)	-
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра	8.65 (9.33)	-
Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра	6.46 (6.61)	-
	28.1 (26.7)	-
	80.7 (78.4)	-

* размер блока 32 МБ

Начнем с рассмотрения результатов тестирования модулей памяти OCZ DDR2 PC2-6400, для которых производителем заявлено функционирование в режиме DDR2-800 с таймингами 4-4-4-15 и, что самое важное, задержками командного интерфейса 1T. Стандартные тайминги для этих модулей, как видно из представленной выше таблицы, выставляемые BIOS материнской платы по умолчанию, составляют 5-5-5-15-2T, а их скоростные показатели находятся на уровне, типичном для DDR2-800 при данной частоте процессора (2.4 ГГц). Поднятие питающего напряжения до 2.2 V позволяет снизить схему таймингов до 4-4-3 (как и подавляющее большинство остальных модулей DDR2, рассматриваемые модули не чувствительны к изменению последнего стандартного параметра схемы таймингов t RAS), однако величина задержек командного интерфейса по-прежнему должна оставаться на уровне 2T. Попытки использования более жесткой схемы таймингов 4-3-3-2T, а также режима 1T при любых значениях таймингов приводили к возникновению ошибок подсистемы памяти.

Таким образом, рассматриваемые модули OCZ DDR2 PC2-6400, рассчитанные на функционирование в режиме DDR2-800 4-4-4-15-1T, оказались неспособны на работу в таком режиме. Не спасло положение и использование данных профиля EPP (не удивительно, ведь содержимое EPP в данных модулях представлено лишь одним «сокращенным» профилем, не позволяющим настроить дополнительные тонкие параметры временного и электрического характера), даже при попытке поднятия питающего напряжения вплоть до 2.3 V.

OCZ DDR2 PC2-7200

Параметр
Частота процессора, МГц (частота FSB x FID)	2400 (200x12)	2736 (228x12)
Частота памяти, МГц (DDR2 МГц)	400 (800)	456 (912)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение	5-5-5-15-2T, 1.8 V	4-4-3-15-2T, 2.2 V
Минимальные тайминги памяти, напряжение	4-3-3-1T, 2.3 V	-
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро	3.94 (4.12)	4.56
Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро	3.30 (3.42)	3.84
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро	7.83 (8.13)	9.04
Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро	6.94 (6.79)	7.88
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра	6.65 (7.14)	7.79
Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра	3.93 (4.51)	4.82
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра	8.69 (9.82)	10.26
Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра	6.46 (6.69)	7.52
Минимальная латентность псевдослучайного доступа (нс)	28.1 (25.7)	23.9
Минимальная латентность случайного доступа * (нс)	80.2 (78.3)	67.9

* размер блока 32 МБ

При запуске модулей OCZ DDR2 PC2-7200 в штатном режиме DDR2-800 принимающая участие в наших тестах материнская плата ASUS CROSSHAIR, как и в предыдущем случае, также выставляет схему таймингов 5-5-5-15-2T. Скоростные показатели модулей PC2-7200 в этом режиме близки к скоростным показателям модулей PC2-6400, рассмотренным выше. Наиболее интересно то, что при поднятии питающего напряжения модулей (до 2.3 V) они позволяют достичь схему таймингов 4-4-3 при величине задержек командного интерфейса 1T, чем резко отличаются от рассмотренных выше модулей PC2-6400, для которых режим 1T заявлен официально(!). Более того, в нашем случае оказалось возможным запустить рассматриваемые модули и при схеме таймингов 3-3-3-1T, однако это приводило к возникновению ошибок.

Применение «оптимального» профиля EPP привело к выставлению частоты «системной шины» процессора 228 МГц, что соответствует частоте шины памяти 228x2 = 456 МГц (режим «DDR2-912», несколько завышен по сравнению с номинальным «DDR2-900») при частоте процессора примерно 2.74 ГГц (для стабильности, напряжение на ядре процессора было вручную поднято до уровня 1.5 V). Применяемая схема таймингов при этом составила значения 4-4-3-15-2T, соответствующие с заявленными производителем. Рассматриваемые модули памяти оказались работоспособными в таком режиме, однако дальнейшее уменьшение таймингов (не считая игнорируемого параметра t RAS), а также снижение задержек командного интерфейса до 1T приводило к неработоспособности подсистемы памяти.

OCZ DDR2 PC2-8000

Параметр
Частота процессора, МГц (частота FSB x FID)	2400 (200x12)	2500 (250x10)
Частота памяти, МГц (DDR2 МГц)	400 (800)	500 (1000)
Тайминги памяти по умолчанию, напряжение	5-5-5-15-2T, 1.8 V	5-5-5-15-2T, 2.3 V
Минимальные тайминги памяти, напряжение	4-3-3-1T, 2.3 V	4-4-4-2T, 2.3 V
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро	3.90 (4.13)	4.35 (4.48)
Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро	3.28 (3.33)	3.61 (3.75)
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 1 ядро	7.79 (8.13)	8.40 (8.50)
Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 1 ядро	6.94 (6.79)	7.19 (7.21)
Средняя ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра	6.60 (7.14)	7.52 (7.79)
Средняя ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра	4.08 (4.46)	4.70 (5.11)
Макс. ПСП на чтение (ГБ/с), 2 ядра	8.61 (9.82)	10.37 (11.01)
Макс. ПСП на запись (ГБ/с), 2 ядра	6.48 (6.70)	6.92 (7.04)
Минимальная латентность псевдослучайного доступа, нс	28.6 (25.7)	24.5 (23.2)
Минимальная латентность случайного доступа * , нс	80.6 (78.4)	72.1 (67.8)

* размер блока 32 МБ

При эксплуатации последних из рассматриваемых нами модулей OCZ DDR2 PC2-8000 в официальном режиме DDR2-800 на материнской плате ASUS CROSSHAIR по умолчанию также выбирается схема таймингов 5-5-5-15-2T. Как и в случае модулей PC2-7200 (но не PC2-6400), увеличение питающего напряжения модулей до 2.3 V позволяет снизить эту схему до значений 4-3-3 (дальнейшее снижение до 3-3-3 приводит к возникновению ошибок), а величину задержек командного интерфейса - до 1T. Скоростные показатели модулей PC2-8000 и PC2-7200 в данном случае практически совпадают.

Поскольку модули OCZ DDR2 PC2-8000 не поддерживают расширения EPP, режим «DDR2-1000» был установлен вручную за счет увеличения частоты «системной шины» до 250 МГц для достижения частоты шины памяти 500 МГц при частоте процессора 2.5 ГГц (250x10). Минимальная схема таймингов, которую удалось достичь в этих условиях, составила 4-4-4-2T при питающем напряжении модулей 2.3 V, что совпадает со значениями, заявленными производителем (попытка выставления более низких значений практически моментально приводила к неработоспособности системы).Итоги

Протестированные представители модулей памяти высокоскоростных серий от OCZ - PC2-6400, PC2-7200 и PC2-8000 произвели достаточно неоднозначные впечатления. Наименее приятные из них заключаются в достаточно небрежном подходе производителя к программированию содержимого SPD (в частности, расширений EPP), что может напрямую сказываться на совместимости модулей памяти с различными материнскими платами. Более того, первый из рассматриваемых представителей - модули памяти PC2-6400 - оказались неработоспособными в штатном режиме при величине задержек командного интерфейса 1T, официально заявленной производителем (по крайней мере, на используемой нами материнской плате ASUS CROSSHAIR). Из приятных моментов можно отметить работоспособность двух остальных представителей - модулей серии PC2-7200 SLI-Ready Edition и PC2-8000 Titanium Alpha VX2 в штатном режиме DDR2-800 при достаточно «экстремальной» схеме таймингов 4-3-3 и величине задержек командного интерфейса 1T, что далеко не типично для большинства 2-ГБ двухканальных комплектов модулей памяти на платформе AMD «AM2». В то же время, в «неофициальных» режимах («DDR2-900» и «DDR2-1000», соответственно) модули этих серий, по-видимому, оказываются разогнанными до предела, поскольку дальнейшее уменьшение схемы таймингов, а также снижение задержек командного интерфейса до 1T не представляется возможным. Однако само по себе устойчивое функционирование модулей PC2-7200 и PC2-8000 в максимально скоростных режимах, учитывая возникшую ситуацию с модулями PC2-6400, уже можно считать плюсом этих серий продукции компании OCZ.

Выбор высокопроизводительной памяти для настольного компьютера, дело достаточно кропотливое и ответственное, что связано в первую очередь с необходимостью обеспечения максимальной стабильности при работе на высокой частоте, особенно при использовании внештатных режимов, где критичным является каждый элемент компьютера, в том числе и память. В секторе портативных компьютеров, данная проблема стоит не столь остро, однако активное развитие мобильных технологий, увеличения рабочей частоты и сокращения внутреннего пространства ноутбука, требует не менее тщательного подхода при выборе памяти, что особенно касается сборщиков ноутбуков, которые иногда, в целях экономии устанавливают дешевую безымянную память, объясняя, что при работе в штатном режиме ни чего не случиться, в чем, безусловно, правы, однако...

Мы, покупатели дорогостоящих ноутбуков, желаем, что бы наш мобильный помощник, не только позволил бы получить максимум производительности, но, и обеспечил максимальную стабильность в различных условиях использования.

Сегодня мы познакомим вас с памятью OCZ серии Value, в которую входят модули с оптимальным отношением цены и производительности. Несмотря на достаточно низкую, для OCZ цену, в этих модулях используется ряд специфических технологий, как например, ULN2 PCB, которая заметно снижет уровень электрического шума, что позитивно сказывается на стабильности работы, особенно в автономном режиме.

Итак, в нашем обзоре принимает участие три типа модулей памяти, предназначенные для использования в различных типах ноутбуков: от ультра портативных моделей на основе технологии Centrino, до высокопроизводительных моделей класса замена настольного ПК, на основе мобильных версий настольных решений и на основе современных технологий Sonoma и AMD Turion™ 64, в которых используется быстрая память DDR2-533 и DDR333/400 соответственно.

Прежде, чем мы приступим к изучению возможностей представленных модулей памяти, мы хотели бы сделать несколько замечаний, относительно возможностей настройки параметров памяти в ноутбуке. Практически во всех моделях ноутбуков в BIOS отсутствует возможность настраивать параметры памяти, что позволило бы воспользоваться всеми преимуществами более быстрых и качественных модулей OCZ. Поэтому, единственное преимущество, которое вы получите от использования памяти OCZ, - большая стабильность, меньшее выделение тепла, и соответственно увеличение времени автономной работы.

OCZ PC2 700 Value Series

Память стандарта DDR333 на сегодняшний день остается одной из самых популярных в секторе портативных компьютеров. Этот тип памяти будет особенно актуален при использовании в мейнстрим моделях ноутбуков, основанных на классической технологии Centrino, где до сих пор используется память стандарта DDR266, которая заметно ограничивает возможности современных высокопроизводительных процессоров Pentium-M. Для решения этой проблемы мы настоятельно рекомендуем использовать память OCZ PC2700 Value Series.

Модули памяти OCZ PC2700 Value Series основаны на чипах Infuneon с низкими таймингами (2.5-4-4-8), что позволило несколько увеличить производительность на ноутбуках, использующих данные SPD.

Кстати, результаты наших тестов показывают, что перевод платформы Centrino на память DDR333 обеспечивает заметный прирост производительности, который будет особенно заметен при использовании процессоров с частотой выше 2ГГц. Здесь может возникнуть вопрос, а почему бы не использовать сразу память DDR 400, - теоретически это позволит добиться еще большей производительности. К сожалению, классическая технология Centrino поддерживает только DDR333, поэтому DDR 400 будет бессмысленна.

OCZ PC 3200 Value Series

Память стандарта DDR 400 на сегодняшний день применяется в некоторых Hi - END ноутбуках, в основе которых лежат мобильные версии настольных чипсетов и процессоров, как например VIA K8T800 для процессора Mobile AMD Athlon™ 64, а так же в новых платформах AMD Turion™ 64. Представленные модули OCZ PC 3200 Value Series основаны на чипах Samsung с низкими таймингами 2.5-4-4-8

Сравнение производительности памяти OCZ PC 3200 Value Series с No-name модулями, продемонстрировали некоторое увеличение производительности в большинстве типов приложений, при использовании жестко заданных параметров синхронизации в BIOS. В случае, если ваш ноутбук позволяет использовать данные SPD, либо имеет возможность изменить параметры памяти, то вы получите еще несколько процентов при сохранении 100% стабильности.

По нашему мнению, использования памяти OCZ PC 3200 Value Series особенно актуально в ноутбуках класса «Замена настольного ПК», в которых используется мобильные версии настольных чипсетов и процессоров. Здесь вы сможете воспользоваться полным частотным потенциалом, предлагаемым модулями OCZ PC 3200 Value Series.

OCZ PC 2 4200 Value Series

И, наконец, новый для мобильного сектора, тип памяти DDR2 533. Он используется в составе новой мобильной технологии Intel Sonoma, где может работать как в одноканальном, так и в двух канальном режиме, что позволило заметно увеличить производительность по сравнению с классической технологией Centrino.

Для создания высокопроизводительной и стабильной мобильной платформы, OCZ предлагает использовать модули PC2 4200 Value Series. Данные модули памяти основаны на высокопроизводительных чипах Elpda, которые имеют тайминги 4-4-4-8, что позволяет сделать предположение о возможном увеличении производительности мобильной платформы.

Однако, учитывая специфические особенности BIOS, которая использует жестко заданные частотные параметры, воспользоваться этими преимуществами, пока не получиться, зато высокая стабильность и пониженное тепловыделение гарантированны, что позитивно скажется на времени автономной работы. Увеличение производительности будет заметно лишь в случае принудительного изменения с помощью специальных утилит, либо в будущих моделях ноутбуков, где будет возможность использовать полный потенциал, используемых модулей памяти. Хотя, как вы может видеть, в этом случае увеличение производительности практически не заметное, что так же обусловлено специфическими особенностями памяти DDR2.

Заключение

Как вы могли заметить, производительность памяти OCZ не значительно превосходит производительность других модулей, в том числе и No-name, что связано с использованием жестко заданных параметров синхронизации, ограничивающих возможности высокопроизводительных чипов памяти, а так же некоторых архитектурных особенностей современных ноутбуков (типа процессора и контроллера памяти). Однако, как мы уже сказали выше, производительность в мобильной платформе не самое главное, намного важнее, - стабильность в автономном режиме, которая напрямую зависит и от качества памяти, где OCZ является бесспорным лидером.

Благодарим компанию « Svega Computer », за предоставленные на тестирование модули памяти OCZ

Введение

Каждый уважающий себя производитель памяти старается создать такой продуктовый ряд, чтобы каждый покупатель мог найти нужные модули по своим потребностям и своему кошельку. Компания OCZ, известный производитель быстрой памяти для компьютеров, имеет в своём арсенале "золотые", "платиновые", "титановые" модули с высокой пропускной способностью и низкими таймингами. В этой статье мы кратко расскажем об особенностях каждой серии DDR II от компании OCZ, чтобы вам было легче выбирать её при покупке.

Серия Value DDR2

Модули памяти DDR2 серии Value предназначены для пользователей, которым нужна просто хорошая память и кто не готов платить лишние деньги за какие-то дополнительные функции. Сейчас OCZ продаёт только 533 МГц модули DDR2 PC4200 серии Value. Эти модули памяти имеют объёмы от 256 до 2048 Мб и продаются как по одной плашке, так и парами для материнских плат с двухканальными контроллерами DDR2. Чтобы вам легче было понять, что за память предлагают продавцы в своих прайс-листах, приведём номера модулей.

Part number

OCZ2533256V - модуль DDR2 объёмом 256 Мб

OCZ2533512V - модуль DDR2 объёмом 512 Мб

OCZ25331024V - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб

OCZ25332048V - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб

OCZ2533512VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 512 Мб (2x256 Мб) для двухканальных систем

OCZ25331024VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 1024 Мб (2x512 Мб) для двухканальных систем

OCZ25332048VDC-K - набор из двух модулей памяти объёмом 2048 Мб (2x1024 Мб) для двухканальных систем

Модули памяти OCZ серии Value имеют тайминги 4-4-4-8 и полностью совместимы со стандартами JEDEC, то есть они должны работать с любыми материнскими платами под DDR2.

Серия Value Pro

Серия Value Pro отличается от самой простой Value тем, что эти модули уже рассчитаны на тех пользователей, кто попытается каким-то образом разогнать компьютер. Модули памяти Value Pro выпускаются в двух вариантах - с частотой 533 МГц (PC4200) и 667 МГц (PC5400).

Part number

OCZ2533512VP - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024VP - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25332048VP - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024VPDC-K - 1024 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ25332048VPDC-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ25334096VPDC-K - 4096-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x2048 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ2667512VP - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024VP - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024VPDC-K - 1024 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ26672048VPDC-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

Модули памяти Value Pro имеют медные распределители тепла, хотя работают на стандартных частотах и имеют обычные тайминги 4-4-4-8 для PC4200 и 5-5-5-10 для PC5400.

Серия Performance

Модули памяти серии Performance создавались для работы с более низкими значениями таймингов. Они имеют частоты 533 МГц (PC4200) и 667 МГц (PC5400). Визуально эти модули памяти отличаются от Value Pro зеркальным покрытием распределителей тепла.

Part number

OCZ2533256PF - модуль DDR2 объёмом 256 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ2533512PF - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ2533512PFDC-K - 512 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x256 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024PFDC-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ2667256PF - модуль DDR2 объёмом 256 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ2667512PF - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024PF - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ2667512PFDC-K - 512 мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x256 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024PFDC-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ26672048PFDC-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

Модули памяти PC4200 при повышении напряжения до 1.9 В могут работать на таймингах 3-3-3-8, а модули PC5400 - на таймингах 4-4-4-8.

Серия Enchanced Latency Gold

Память "золотая", да ещё и с улучшенной латентностью явно рассчитана на взыскательного пользователя. OCZ предлагает три варианта модулей с частотами 533 МГц, 667 МГц и даже 800 МГц (PC6400). Эта память изначально работает с низкими таймингами и может выдержать повышение напряжения до 2.2 В. Медные радиаторы имеют золотистое покрытие.

Part number

OCZ2533512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25332048ELGE - модуль DDR2 объёмом 2048 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ25332048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ25334096ELDCGE-K- 4096-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x2048 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ2667512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ26672048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ2800512ELGE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC6400 (800 МГц)

OCZ28001024ELGE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC6400 (800 МГц)

OCZ28001024ELDCGE-K- 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)

OCZ28002048ELDCGE-K- 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)

Модули PC4200 имеют тайминги 3-3-3-8, PC5400 - 4-4-4-8, а PC6400 - 5-5-5-10.

Серия Platinum

Пожалуй, это самая многочисленная серия. В неё входят модули повышенной пропускной способности (enhanced bandwidth) модули с пониженными таймингами (enhanced latency). Первые имеют очень низкие задержки, а вторые - это модули с частотой 1000 МГц и так же пониженными таймингами. Модули enhanced latency работают на напряжении 2.0 В и выдерживают работу на напряжении 2.2 В. И те и другие модули имеют медные распределители тепла с платиновым зеркальным покрытием.

Part number

OCZ2533512EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC4200 (533 МГц)

OCZ25331024EBDCPER2-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ25332048EBDCPER2-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC4200 (533 МГц)

OCZ2667512EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024EBPER2 - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024EBDCPER2-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ26672048EBDCPER2-K - 2048-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x1024 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ28001024EBPE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC6400 (800 МГц)

OCZ28001024EBDCPE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC6400 (800 МГц)

Память OCZ Platinum enhanced bandwidth PC4200 имеет тайминги 3-2-2-8, PC5400 - 4-2-2-8, PC6400 - 4-3-3-8 (эта память работает на напряжении 2.1 В).

Память OCZ Platinum enhanced bandwidth PC8000 - это элита в мире оперативной памяти. Эти модули с питанием от напряжения 2.1-2.2 В способны работать на частоте 1000 МГц с таймингами 5-5-5-15.

Part number

OCZ21000512ELPE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC8000 (1000 МГц)

OCZ210001024ELDCPE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC8000 (1024 МГц)

Это самый дорогой модуль памяти в серии OCZ.

Серия Titanium

Серия Titanium - это нечто среднее между серией Platinum и Gold. В этой серии всего два модуля - объёмами 512 и 1024 Мб с частотой 667 МГц (PC5400). Данная память при напряжении 2.2 В может работать на таймингах 4-2-2-8.

Part number

OCZ2667512EBTE - модуль DDR2 объёмом 512 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024EBTE - модуль DDR2 объёмом 1024 Мб PC5400 (667 МГц)

OCZ26671024EBDCTE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

OCZ26672048EBDCTE-K - 1024-мегабайтный набор из двух модулей памяти (2x512 Мб) для двухканальных систем PC5400 (667 МГц)

Модули памяти Titanium имеют медные распределители тепла с титановым покрытием.

Заключение

Все модули памяти OCZ тестируются перед тем, как поступить на прилавки, чтобы исключить попадание брака в компьютеры покупателей. Кроме того, на все модули OCZ компания-производитель даёт пожизненную гарантию.